Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 20 A 120 W, 10-Pin HDSOP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

N

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

125mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

27nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30 V

Gehäusegröße

HDSOP

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

20A