Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

N

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.2mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

80nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

180A