Infineon IPB65R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 46 A, 3-Pin TO-263

Name: Infineon IPB65R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 46 A, 3-Pin TO-263
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPB65R045C7ATMA2

Produkt-Nr.: P-CCPX2P-CLYZLF

Technische Daten

Automobilstandard: Nein
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 45mΩ
Gehäusegröße: TO-263
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 46A
Montageart: Oberfläche
Normen/Zulassungen: No
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: IPB65R

Produktbeschreibung

Die Infineon CoolMOS TM C7 Superjunction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS- und Solarwechselrichteranwendungen Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse Niedrige Schaltverluste Bessere Effizienz bei geringer Last Erhöhung der Leistungsdichte Hervorragende CoolMOS-Qualität

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