Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 211 A TO-263

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Channel-Modus

N

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

40.7mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

211A

Montageart

Oberfläche

Normen/Zulassungen

No