Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 100 A 300 W TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

120V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4.8mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

139nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

100A