Infineon IMZ1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 26 A, 4-Pin TO-247-4
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 26 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 90 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.5V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 4
- Serie
- IMZ1
- Transistor-Werkstoff
- Si
Produktbeschreibung
Dauer-Drainstrom max. = 26 A
Drain-Source-Widerstand max. = 90 mΩ
Transistor-Werkstoff = Si
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
