Infineon IMBG65 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 170 A, 7-Pin PG-TO263-7
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 170 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Gehäusegröße
- PG-TO263-7
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 7
- Transistor-Werkstoff
- SiC
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 170 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = PG-TO263-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Channel-Modus = Enhancement
Transistor-Werkstoff = SiC
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
