Infineon IMB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 189 A 800 W, 7-Pin PG-TO263-7

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

21mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

195nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

±25 V

Gehäusegröße

PG-TO263-7

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

189A

Maximale Betriebstemperatur

200°C