Infineon IMB N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 238 A, 7-Pin PG-TO263-7
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 238 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 7
- Serie
- IMB
- Transistor-Werkstoff
- SiC
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 238 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = IMB
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
