Infineon IMB N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 189 A, 7-Pin PG-TO263-7
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 189 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Gehäusegröße
- PG-TO263-7
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 7
- Transistor-Werkstoff
- SiC
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 189 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Serie = IMB
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Channel-Modus = Enhancement
Transistor-Werkstoff = SiC
Produktangebot
50,85 €
60,51 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Lieferzeit ca. 2 Tage
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
