Infineon IGT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 70 A 236 W, 8-Pin PG-HSOF-8

Name: Infineon IGT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 70 A 236 W, 8-Pin PG-HSOF-8
Brand: INFINEON
Price: 11.89 EUR
Availability: InStock

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IGT65R025D2ATMA1

Produkt-Nr.: P-CZK55C

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 0.03Ω
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 11nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 10 V
Gehäusegröße: PG-HSOF-8
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 70A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 70A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Gehäusegröße = PG-HSOF-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.03Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 236W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = JEDEC for Industrial Applications
Automobilstandard = Nein

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