Infineon IGT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 38 A 131 W, 8-Pin PG-HSOF-8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.054Ω
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 6nC
- Gehäusegröße
- PG-HSOF-8
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 38A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 131W
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 38A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Serie = IGT65
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.054Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 6nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = JEDEC
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET