Infineon IGLT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 67 A 219 W, 16-Pin PG-HDSOP-16
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.053Ω
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 11nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 10 V
- Gehäusegröße
- PG-HDSOP-16
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 67A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 67A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Gehäusegröße = PG-HDSOP-16
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 16
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.053Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 11nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = JEDEC for Industrial Applications
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET