Infineon IGLT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 67 A 219 W, 16-Pin PG-HDSOP-16

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.053Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

11nC

Gehäusegröße

PG-HDSOP-16

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

67A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

219W