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Infineon IGLT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 67 A 219 W, 16-Pin PG-HDSOP-16

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IGLT65R025D2AUMA1

Produkt-Nr.: P-CZK538

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
0.053Ω
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
11nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
10 V
Gehäusegröße
PG-HDSOP-16
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
67A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 67A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Gehäusegröße = PG-HDSOP-16
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 16
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.053Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 11nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = JEDEC for Industrial Applications
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET