Infineon IGBT-Modul / 900 A ±20V max. Dual, 1700 V 20 mW

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

2

Dauer-Kollektorstrom max.

900 A

Gate-Source Spannung max.

±20V

Kollektor-Emitter-Spannung

1700 V

Verlustleistung max.

20 mW