Infineon IGBT-Modul / 890 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 2
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 890 A
- Gate-Source Spannung max.
- 20V
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Konfiguration
- Dual
- Montage-Typ
- Tafelmontage
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 890 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 2
Konfiguration = Dual
Montage-Typ = Tafelmontage
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
