Infineon IGBT-Modul / 840 A ±20V max. , 1700 V 3,35 kW
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 1
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 840 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1700 V
- Verlustleistung max.
- 3,35 kW
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 840 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 1
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT