Infineon IGBT-Modul / 820 A +/-20V max. 6-fach, 750 V 20 mW, 33-Pin AG-HYBRIDD-1 N-Kanal

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

6

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

820 A

Gate-Source Spannung max.

+/-20V

Gehäusegröße

AG-HYBRIDD-1

Kollektor-Emitter-Spannung

750 V

Pinanzahl

33

Verlustleistung max.

20 mW