Infineon IGBT-Modul / 75 A 20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW EASY2B N-Kanal
Technische Daten
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 75 A
- Gate-Source Spannung max.
- 20V
- Gehäusegröße
- EASY2B
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Verlustleistung max.
- 20 mW
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 7
Gehäusegröße = EASY2B
Channel-Typ = N
Das Infineon EasyPIM dreiphasige Eingangs-IGBT-Modul mit Trenchstop IGBT4-Technologie. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen Durchlassstrom von 75 A. Er wird in Servomotoren und Motorsteuerungen und Antrieben verwendet.Kompaktes Modulkonzept Optimierte Entwicklungszykluszeit und -kosten des Kunden Hohe Zuverlässigkeit und Leistungsdichte Kupfergrundplatte für optimierte Wärmeverteilung Niedrige Schaltverluste Hohe Schaltfrequenz Flexibilität bei der Konfiguration
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
