Infineon IGBT-Modul / 600 A ±20V max. Dual, 1200 V AG-62MM N-Kanal
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 2
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 600 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- AG-62MM
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Konfiguration
- Dual
- Transistor-Konfiguration
- Serie
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 2
Gehäusegröße = AG-62MM
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Serie
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT