Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW ECONOD N-Kanal

Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Gehäusegröße = ECONOD
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Dual

Das Infineon EconoDual Dual IGBT-Modul mit Trenchstop IGBT4-Technologie mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V. Er wird in der Motorsteuerung und in Antrieben, Stromwandlern und Wechselrichtern von Windenergieanlagen und USV-Systemen eingesetzt.Integrierte Shunt-Widerstände für die Gleichstrommessung Presssitz-Steuerstifte und Schraubanschlussklemmen Tim - Voraufgetragenen thermischen Schnittstellenwerkstoff für eine längste Lebensdauer Kompakte und robuste Bauweise mit geformten Anschlussklemmen