Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 11-Pin ECONODUAL N-Kanal

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

2

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

600 A

Gate-Source Spannung max.

20V

Gehäusegröße

ECONODUAL

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Konfiguration

Dual

Pinanzahl

11

Transistor-Konfiguration

Dual

Verlustleistung max.

20 mW