Infineon IGBT-Modul / 580 A ±20V max. Dual, 1200 V 2 kW AG-62MM-1 N-Kanal

Technische Daten

Abmessungen

106.4 x 61.4 x 30.9mm

Anzahl an Transistoren

2

Betriebstemperatur max.

+125 °C

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

580 A

Gate-Kapazität

28nF

Gate-Source Spannung max.

±20V

Gehäusegröße

AG-62MM-1

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V