Infineon IGBT-Modul / 580 A ±20V max. Dual, 1200 V 2 kW AG-62MM-1 N-Kanal
Technische Daten
- Abmessungen
- 106.4 x 61.4 x 30.9mm
- Anzahl an Transistoren
- 2
- Betriebstemperatur min.
- –40 °CnF
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 580 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- AG-62MM-1
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Montage-Typ
- Tafelmontage
- Transistor-Konfiguration
- Serie
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 580 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 2
Gehäusegröße = AG-62MM-1
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Serie
Abmessungen = 106.4 x 61.4 x 30.9mm
Gate-Kapazität = 28nF
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
- GTIN
- 5059045767107
