Infineon IGBT-Modul / 450 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW ECONOD N-Kanal
Technische Daten
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 450 A
- Gate-Source Spannung max.
- 20V
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Konfiguration
- Dual
- Transistor-Konfiguration
- Dual
- Verlustleistung max.
- 20 mW
Produktbeschreibung
Das Infineon EconoDual Dual IGBT-Modul mit Trenchstop IGBT4-Technologie mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V. Er wird in der Motorsteuerung und in Antrieben, Stromwandlern und Wechselrichtern von Windenergieanlagen und USV-Systemen eingesetzt.Integrierte Shunt-Widerstände für die Gleichstrommessung Presssitz-Steuerstifte und Schraubanschlussklemmen Tim - Voraufgetragenen thermischen Schnittstellenwerkstoff für eine längste Lebensdauer Kompakte und robuste Bauweise mit geformten Anschlussklemmen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT