Infineon IGBT-Modul / 1,8 kA 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 10-Pin Prime3+ N-Kanal

Name: Infineon IGBT-Modul / 1,8 kA 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 10-Pin Prime3+ N-Kanal
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: FF1800R12IE5PBPSA1

Produkt-Nr.: P-CCLJW2

Technische Daten

Channel-Typ: N
Dauer-Kollektorstrom max.: 1,8 kA
Gate-Source Spannung max.: 20V
Gehäusegröße: Prime3+
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200 V
Pinanzahl: 10
Transistor-Konfiguration: Dual
Verlustleistung max.: 20 mW

Produktbeschreibung

Das Infineon PrimePACK Dual IGBT-Modul mit Trenchstop IGBT5- und .XT-Verbindungstechnologie. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1800 V. Die N-Kanal Trenchstop- und Feldstop-IGBT-Module sind für harte Schalt- und weiche Schaltanwendungen wie Hochleistungswandler, USV-System, Motorantriebe und Solaranwendungen geeignet.Kupferverbindungen für hohe Strombelastbarkeit Sintern von Chips für höchste Leistungszyklusfähigkeiten Gesamtverluste um bis zu 20 % reduziert Geringerer Kühlaufwand für gleiche Ausgangsleistung Ermöglicht höhere Systemüberlastbedingungen