Infineon IGBT-Modul / 150 A ±20V max. Dual, 1200 V 790 W AG-34MM-1 N-Kanal
Technische Daten
- Abmessungen
- 94 x 34 x 30.2mm
- Anzahl an Transistoren
- 2
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 150 A
- Gate-Kapazität
- 9.35nF
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Konfiguration
- Serie
- Montage-Typ
- Tafelmontage
- Transistor-Konfiguration
- Serie
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 2
Konfiguration = Serie
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Serie
Abmessungen = 94 x 34 x 30.2mm
Gate-Kapazität = 9.35nF
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
- GTIN
- 5059045926733
