Infineon IGBT-Modul / 150 A ±20V max. Dual, 1200 V 790 W AG-34MM-1 N-Kanal

Technische Daten

Abmessungen

94 x 34 x 30.2mm

Anzahl an Transistoren

2

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

150 A

Gate-Kapazität

9.35nF

Gate-Source Spannung max.

±20V

Gehäusegröße

AG-34MM-1

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V