Infineon IGBT-Modul / 150 A +/-20V max. 6-fach, 1200 V 750 W

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

6

Dauer-Kollektorstrom max.

150 A

Gate-Source Spannung max.

+/-20V

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Verlustleistung max.

750 W