Infineon IGBT-Modul / 1,2 kA 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 10-Pin Prime2 N-Kanal

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

2

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

1,2 kA

Gate-Source Spannung max.

20V

Gehäusegröße

Prime2

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Konfiguration

Dual

Pinanzahl

10

Transistor-Konfiguration

Dual

Verlustleistung max.

20 mW