Infineon IGBT-Modul / 100 A +/-20V max. 7-fach, 1200 V 515 W
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 7
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 100 A
- Gate-Source Spannung max.
- +/-20V
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = +/-20V
Anzahl an Transistoren = 7
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
