Infineon IGBT / 900 A 20V max., 1200 V 20 mW AG-ECONOD N-Kanal
Technische Daten
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 900 A
- Gate-Source Spannung max.
- 20V
- Gehäusegröße
- AG-ECONOD
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Konfiguration
- Dual
- Transistor-Konfiguration
- Single & Common Emitter
- Verlustleistung max.
- 20 mW
Produktbeschreibung
Das Infineon EconoDUAL TM 3 1200 V, 900 A zweifache Trenchstop ® IGBT7-Modul mit Emitter-gesteuerter 7-Diode, NTC und Pressfit-Kontakttechnologie. Auch erhältlich mit voraufgetragenen thermischen Schnittstellenmaterialien.Höchste Leistungsdichte Best-in-Class-VCE-Sat TVJ op = 175 °C Überlast Verbesserte Anschlussklemmen Optimierte Kriechstrecke für 1500-V-PV-Anwendungen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT