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Infineon IGBT / 900 A 20V max., 1200 V 20 mW AG-ECONOD N-Kanal

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: FF900R12ME7B11BOSA1

Produkt-Nr.: P-CCVRGS

Technische Daten

Channel-Typ
N
Dauer-Kollektorstrom max.
900 A
Gate-Source Spannung max.
20V
Gehäusegröße
AG-ECONOD
Kollektor-Emitter-Spannung
1200 V
Transistor-Konfiguration
Single & Common Emitter
Verlustleistung max.
20 mW

Produktbeschreibung

Dauer-Kollektorstrom max. = 900 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Gehäusegröße = AG-ECONOD
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Single & Common Emitter

Das Infineon EconoDUAL TM 3 1200 V, 900 A zweifache Trenchstop ® IGBT7-Modul mit Emitter-gesteuerter 7-Diode, NTC und Pressfit-Kontakttechnologie. Auch erhältlich mit voraufgetragenen thermischen Schnittstellenmaterialien.Höchste Leistungsdichte Best-in-Class-VCE-Sat TVJ op = 175 °C Überlast Verbesserte Anschlussklemmen Optimierte Kriechstrecke für 1500-V-PV-Anwendungen

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
IGBT