Infineon IGBT / 80 A ±20V max. , 650 V 274 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Technische Daten
- Abmessungen
- 16.13 x 5.21 x 21.1mm
- Anzahl an Transistoren
- 1
- Breite
- 5.21mm
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 80 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Höhe
- 21.1mm
- Kollektor-Emitter-
- 650 V
- Länge
- 16.13mm
Produktbeschreibung
Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V. Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode. Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V Sehr geringer VCEsat Niedrige Abschaltverluste Kurzer Deaktivierungsstrom Geringe elektromagnetische Störungen Maximale Verbindungstemperatur 175°C
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
- GTIN
- 5059043359724
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