Infineon IGBT / 80 A ±20V max. , 650 V 274 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

Name: Infineon IGBT / 80 A ±20V max. , 650 V 274 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IKW50N65ES5XKSA1

Produkt-Nr.: P-CCN3XX

Technische Daten

Abmessungen: 16.13 x 5.21 x 21.1mm
Betriebstemperatur min.: –40 °CpF
Channel-Typ: N
Dauer-Kollektorstrom max.: 80 A
Gate-Source Spannung max.: ±20V
Gehäusegröße: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung: 650 V
Montage-Typ: THT
Pinanzahl: 3
Schaltgeschwindigkeit: 30kHz

Produktbeschreibung

Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 274 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 30kHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.13 x 5.21 x 21.1mm
Betriebstemperatur min. = –40 °CpF

Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V. Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode. Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V Sehr geringer VCEsat Niedrige Abschaltverluste Kurzer Deaktivierungsstrom Geringe elektromagnetische Störungen Maximale Verbindungstemperatur 175°C