Infineon IGBT / 80 A ±20V max. , 650 V 274 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

Name: Infineon IGBT / 80 A ±20V max. , 650 V 274 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IKW50N65ES5XKSA1

Produkt-Nr.: P-CCN3XX

Technische Daten

Abmessungen: 16.13 x 5.21 x 21.1mm
Anzahl an Transistoren: 1
Betriebstemperatur max.: +175 °C
Channel-Typ: N
Dauer-Kollektorstrom max.: 80 A
Gate-Kapazität: 3100pF
Gate-Source Spannung max.: ±20V
Gehäusegröße: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung: 650 V
Montage-Typ: THT

Produktbeschreibung

Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V. Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode. Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V Sehr geringer VCEsat Niedrige Abschaltverluste Kurzer Deaktivierungsstrom Geringe elektromagnetische Störungen Maximale Verbindungstemperatur 175°C