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Infineon IGBT / 80 A ±20V max. , 600 V 319,2 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IKW50N60DTPXKSA1

Produkt-Nr.: P-CCGRNV

Technische Daten

Abmessungen
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Anzahl an Transistoren
1
Betriebstemperatur max.
+175 °C
Channel-Typ
N
Dauer-Kollektorstrom max.
80 A
Gate-Kapazität
1950pF
Gate-Source Spannung max.
±20V
Gehäusegröße
TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung
600 V
Montage-Typ
THT

Produktbeschreibung

Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V. Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode. Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V Sehr geringer VCEsat Niedrige Abschaltverluste Kurzer Deaktivierungsstrom Geringe elektromagnetische Störungen Maximale Verbindungstemperatur 175°C

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
IGBT
GTIN
5059043601281