Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 483 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Technische Daten
- Abmessungen
- 16.03 x 5.16 x 21.1mm
- Betriebstemperatur min.
- -40 °C
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 80 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
Produktbeschreibung
TrenchStop-IGBT-Transistoren von Infineon, 1100–1600 V. Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 1100 bis 1600 V mit TrenchStop™-Technologie. Die Serie umfasst Geräte mit integrierter antiparallel geschalteter Hochgeschwindigkeitsdiode mit kurzer Erholzeit. Kollektor-Emitter-Spannung von 1100 bis 1600 V Sehr geringer VCEsat Geringe Abschaltverluste Kurzer Endstrom Geringe elektromagnetische Störungen Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
- GTIN
- 5059043209739