Infineon IGBT / 50 A ±20V max. , 1200 V 428 W, 3-Pin To-247-3 N-Kanal

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

1

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

50 A

Gate-Source Spannung max.

±20V

Gehäusegröße

To-247-3

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Konfiguration

Single

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach