Infineon IGBT / 50 A 20V max., 1200 V 20 mW AG-EASY2B. N-Kanal
Technische Daten
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 50 A
- Gate-Source Spannung max.
- 20V
- Gehäusegröße
- AG-EASY2B.
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Transistor-Konfiguration
- Single & Common Emitter
- Verlustleistung max.
- 20 mW
Produktbeschreibung
Das Infineon EasyPIM TM 2B 1200 V, 50 A dreiphasiger Eingangsgleichrichter-PIM (Power Integrated Modules) IGBT-Modul mit Trenchstop ® IGBT7, Emitter-gesteuerter 7-Diode, NTC- und Pressfit-Kontakttechnologie.Geringe VCEsat Trenchstop ® IGBT7 Überlastbetrieb bis zu 175 °C. 2,5 kV AC, 1 min Isolierung Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand Hohe Leistungsdichte Kompaktes Design Presssitz-Kontakttechnologie
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT