Infineon IGBT / 45 A ±20V max., 1200 V, 3-Pin TO-247AC N-Kanal

Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Pinanzahl = 3
Abmessungen = 15.9 x 5.3 x 20.3mm

Co-Pack-IGBT über 21 A, Infineon. Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Isolated Gate Bipolar Transistor, IGBT) von Infineon bieten dem Benutzer eine umfassende Auswahl von Optionen, um sicherzustellen, dass Ihre Anwendung durchgeführt werden kann. Durch ihren hohen Wirkungsgrad können diese IGBT in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden und können dank niedriger Schaltverluste verschiedene Schaltfrequenzen unterstützen. IGBT verbaut mit antiparallel geschalteter Diode mit ultraschneller Wiederherstellung für den Einsatz in Brückenkonfigurationen