Infineon IGBT / 200 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 46-Pin Modul N-Kanal

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

7

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

200 A

Gate-Source Spannung max.

±20V

Gehäusegröße

Modul

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Konfiguration

3-phasig

Montage-Typ

Chassismontage

Pinanzahl

46

Transistor-Konfiguration

3-phasig