Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -55 V / -42 A 170 W TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

-55V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

20mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

53nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

TO-263

Höhe

15.88mm

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

-42A