Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 230 A 370 W TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

75V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

3mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

160nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

230A

Maximale Betriebstemperatur

175°C