Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 19 A 68 W, 3-Pin TO-220AB
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- P
- Dauer-Drainstrom max.
- 19 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 55 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 100 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 35 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Höhe
- 8.77mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 19 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 68 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 35 nC @ 10 Vmm
Höhe = 8.77mm
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043946535
