Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 12 A 45 W, 3-Pin TO-220AB

Name: Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 12 A 45 W, 3-Pin TO-220AB
Brand: INFINEON
Price: 0.65 EUR
Availability: InStock

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRF9Z24NPBF

Produkt-Nr.: P-CCDMM5

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: P
Dauer-Drainstrom max.: 12 A
Drain-Source-Spannung max.: 55 V
Drain-Source-Widerstand max.: 175 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 19 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.: 4V
Gate-Schwellenspannung min.: 2V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Höhe: 8.77mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 175 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 45 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 19 nC @ 10 Vmm
Höhe = 8.77mm