Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 11 A 38 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- P
- Dauer-Drainstrom max.
- 11 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 55 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 175 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 19 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Höhe
- 6.22mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 11 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 175 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 38 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 19 nC @ 10 Vmm
Höhe = 6.22mm
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043944029
