Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 40 A 200 W, 3-Pin TO-220AB
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- P
- Dauer-Drainstrom max.
- 40 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 60 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 180 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-220AB
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043739137
