Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 14 A 79 W, 3-Pin TO-220AB

Name: Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 14 A 79 W, 3-Pin TO-220AB
Brand: INFINEON
Price: 0.54 EUR
Availability: InStock

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRF9530NPBF

Produkt-Nr.: P-CCDMM7

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: P
Dauer-Drainstrom max.: 14 A
Drain-Source-Spannung max.: 100 V
Drain-Source-Widerstand max.: 200 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 58 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.: 4V
Gate-Schwellenspannung min.: 2V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Höhe: 8.77mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 14 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 200 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 79 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 58 nC @ 10 Vmm
Höhe = 8.77mm