Infineon HEXFET N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2 A; 2,7 A 1,25 W, 8-Pin MSOP

Name: Infineon HEXFET N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2 A; 2,7 A 1,25 W, 8-Pin MSOP
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRF7509TRPBF

Produkt-Nr.: P-CCCRV3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Breite: 3mm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N, P
Dauer-Drainstrom max.: 2 A; 2,7 A
Drain-Source-Spannung max.: 30 V
Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ, 200 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 1V
Gate-Schwellenspannung min.: 1V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V

Produktbeschreibung

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Infineon. Die Zweifach-Leistungs-MOSFETs von Infineon integrieren zwei HEXFET®-Bauelemente für platzsparende, kostengünstige Schaltlösungen bei hoher Bauteildichte für Anwendungen mit beschränktem Platinenplatz. Verschiedene Optionen stehen zur Verfügung, und Designer können die Zweifach-N/P-Kanal-Konfiguration wählen.