Infineon HEXFET N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,7 A; 2,4 A 1,25 W, 8-Pin MSOP

Name: Infineon HEXFET N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,7 A; 2,4 A 1,25 W, 8-Pin MSOP
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRF7507TRPBF

Produkt-Nr.: P-CCMC4G

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N, P
Dauer-Drainstrom max.: 1,7 A; 2,4 A
Drain-Source-Spannung max.: 20 V
Drain-Source-Widerstand max.: 140 mΩ, 270 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 5,3 nC @ 4,5 V, 5,4 nC @ 4,5 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.: 0.7V
Gate-Schwellenspannung min.: 0.7V
Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 1,7 A; 2,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 140 mΩ, 270 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.7V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.7V
Verlustleistung max. = 1,25 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Infineon. Die Zweifach-Leistungs-MOSFETs von Infineon integrieren zwei HEXFET®-Bauelemente für platzsparende, kostengünstige Schaltlösungen bei hoher Bauteildichte für Anwendungen mit beschränktem Platinenplatz. Verschiedene Optionen stehen zur Verfügung, und Designer können die Zweifach-N/P-Kanal-Konfiguration wählen.