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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 350 A 520 W, 3-Pin TO-247AC

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFP4368PBF

Produkt-Nr.: P-CCVSRN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
350 A
Drain-Source-Spannung max.
75 V
Drain-Source-Widerstand max.
2 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Montage-Typ
THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Serie = HEXFET
Montage-Typ = THT
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 520 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 380 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon. Motorsteuerungs-MOSFET. Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung. Synchrongleichrichter-MOSFET. Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059045586029