Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 210 A 370 W, 3-Pin TO-220AB

Name: Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 210 A 370 W, 3-Pin TO-220AB
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFB3077PBF

Produkt-Nr.: P-CCDFFG

Technische Daten

Breite: 4.82mm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 210 A
Drain-Source-Spannung max.: 75 V
Drain-Source-Widerstand max.: 3,3 m?
Gate-Schwellenspannung max.: 4V
Gate-Schwellenspannung min.: 2V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Gehäusegröße: TO-220AB

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 210 A
Drain-Source-Spannung max. = 75 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,3 m?
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 370 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °Cmm
Höhe = 9.02mm