Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 A 375 W, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Breite
- 5.31mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 270 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 60 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 2,5 m?
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- ± 20 V
- Höhe
- 20.7mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 270 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2,5 m?
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 375 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ± 20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 20.7mm
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
