Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 75 A, 3-Pin TO-220
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 75 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 55 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
